是的，这是通过使用一些外部输入引脚作为频率组选择器来实现的. 让我们以DSC2010为例. 有两个输入引脚，引脚5和引脚6，称为FS0和FS1. 这些引脚的四个二进制组合允许选择设备的四个频率组中的一个. 每个频率组可以编程(OTP = One Time programming)与时钟频率是独立的，不相关的其他三个银行之一.

类似地，DSC2110和DSC2210使用输入引脚14 (FS)来选择两个频率组. DSC2022有3个频率选择输入, 5针, 6和7可以从8个频率组中选择一个. 这个概念是通用的，并不一定局限于这些作为示例的部分. 8个频率组是DSC2xxx家族的最大数量.

输出时钟频率在工厂被编程一次(OTP). 然而，频率组0(并且只有这个特定的组)被非易失性存储器(RAM)遮蔽。. 因此，可以临时改变三个VCO寄存器计数器(N, f, M)设置输出频率. 更多细节请参考DSC2xxx编程指南. 再一次, 需要注意的是，这只对银行频率0是可能的, 因此，输入频率选择引脚必须以选择频率组0的方式设置(通常是所有的输入引脚连接到地)。.

设备数据表指定输入逻辑级别VIH和VIL. 这些电平适用于所有输入，无论它们是频率选择引脚, 输出启用或备用, 等.

DSC2311将同时提供引脚4和引脚5上的两个频率. 该设备只有一个锁相环, 因此，两个输出频率必须具有压控振荡器频率作为公共倍数.

DSC400有四个输出时钟和两个锁相环, 因此，两组输出可以是独立的，也可以与另一组输出无关.

还有其他时钟发生器，如DSC2xxx系列，具有频率选择引脚. 它们可以在时钟输出引脚上提供多达8个可选频率, 根据频率选择引脚上的逻辑电平.

作为一个例子, 让我们考虑一个25MHz的载波，让我们假设它的相位噪声图(在12kHz到20MHz带宽)是已知的. 让我们还假设，有人可能想知道在10MHz和50MHz的载波下，图会有什么不同.

在12kHz到20MHz的带宽中，所有的频率成分都以dBc/Hz表示，它们根据不同的载波频率进行缩放:20[dBc/Hz]*log10(frequency/25MHz)

当频率= 10MHz时，所有元件位移-7.96 db /赫兹

当频率= 50MHz时，所有组件移动+6.02 db /赫兹

答案是肯定的. 下表显示了一个与DSC1001设备相关的示例.

我们不建议使用铁氧体珠，因为铁氧体珠会阻碍零件启动时的涌电流, 并且可能使部件无法正确初始化. 低值电阻器是铁氧体微珠的合理替代品.

可以通过输入控制引脚将MEMS振荡器器件放入锁存器中.k.a. 输出使能或备用引脚). 如果输入控制引脚上的电压是~0.VDD以上6V或~0.GND以下6V，然后闩锁可能被启动. 当然, 在输入控制引脚(引脚1)上施加这样的电压违反了器件的绝对最大额定值.

这样的电压可能是由一个快速信号发生器驱动输入控制引脚和连接信号发生器到这样一个引脚的导线或电缆上的电感的组合无意中产生的. 产生的关键行为是信号上升和/或下降边缘上的电压超调, 如图所示的输入控制引脚. 如果这个超调的幅度开始接近~0.6V，在上升或下降的边缘，这绝对可以解释锁住的情况.

启动时间, 在数据表中也称为tSU, 从VDD达到其最终值的90%到输出时钟的第一个边缘的时间. 90% VDD阈值是针对VDD缓慢的情况定义的, VDD的上升时间可能比1.5ms. 在锁相环锁定和输出频率稳定之后才有输出时钟.

启用时间, 在数据表中也称为tEN, 被定义为从使能引脚高到输出时钟第一个边缘的时间. 在这种情况下，使能引脚的上升时间与1相比可能是显著的.5ms, VIH规格(类似于90%的VDD级别)指定使能引脚上升沿上的点，从那里测量使能时间.

MEMS振荡器和时钟与晶体不同，在整个温度范围内具有非常稳定的频率偏差. 当温度升高时，PPM中的频率偏差通常在晶体中显著上升. 对于MEMS来说，它实际上是相当平坦的.

下图显示了DSC1101DI2在66的频率稳定性.以667MHz为例. 这是一个2520封装的MEMS振荡器，标称频率稳定性±25ppm.

答案是肯定的.

数据表规范适用于发货时的部件. 将MEMS DSC零件焊接到PCB上的过程发生在发货后，通常会引入一些适度的频移. 这种下焊频率的变化不一定是恒定的, 自然, 取决于下焊工艺的参数.

当零件手工焊接到pcb上时，频率偏移最严重, 与烤箱回流相比，应按照数据表推荐的回流剖面进行回流.

SMT组装引起的频率漂移取决于温度梯度速率和驻留时间, 印刷锡膏量, 选择焊合金, 以及焊剂膏的选择. 建议SMT组装人员测量它们的实际回流曲线, 最好将热电偶或RTD放置在尽可能靠近MEMS器件的位置.

Tests have not been conducted in a way that would align with those requirements; therefore there is no guarantee that the devices will meet either the operating pressure or survival pressure requirement.

然而, 我们有充分的理由相信，在这些压力水平下，零件不会有问题. MEMS器件采用标准QFN材料和工艺包装. 在QFN成型, 压力一般可达3-10MPa (430-1430psi), 而这种压力从未被发现会导致设备故障.

MEMS器件确实有一个用于MEMS谐振器的空腔, 它的四周都被很厚的硅墙包围着, 比腔体本身厚很多倍. 因此，谐振器理论上在1700 psi时只会变形埃.

最后, 符合行业标准, 所有MEMS振荡器和时钟器件均通过了PCT(压力锅)可靠性测试. 此外，该设备经得起军事级冲击和振动测试.