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Product Highlights


快速解决您的时间挑战,我们的高度可配置和易于使用的家族时钟发生器. 我们提供多输出, 功能丰富的时钟发生器,可选集成时钟源,用于低功耗和低抖动的应用.

SM80Up to 6

超低相位抖动(78 fs 12 KHz至20 MHz) 6个输出

MX8Up to 7

整个时钟树在一个单一的设备集成晶体

ZL30281

高性能PCIe 1-4时钟发生器

ZL302Up to 65

具有6个输出的任意速率倍增器和时钟发生器

使用ClockWorks®配置器定制您的时钟生成器

只需点击几下, 你可以对你的设备进行任意频率组合的编程, 温度, PPM和包的大小,以满足您的特定应用程序的要求. 您还可以使用此工具下载定制的数据表,并订购定制的示例,48小时的周转时间.

Documentation


Title 下载
振荡器- MEMS和晶体解决方案手册 下载
Title 下载
MEMS时钟常见问题 下载

时钟及定时Product


查看所有参数化
Product 类别 相位抖动(ps)(Typ, 12KHz至20mhz) 周期抖动(ps)(峰对峰) Input No. 的输出 输出逻辑
PL500-15 VCXO 2.5 水晶 1 LV互补金属氧化物半导体
ZL30244 Low-Jitter时钟生成器 0.16 水晶或引用 6 CML,互补金属氧化物半导体
PL610-03 Low-Jitter时钟生成器 1 LVPECL, LVDS
DSC613 低功耗时钟发生器 140 集成MEMS 3 LV互补金属氧化物半导体
ZL30261 Low-Jitter时钟生成器 0.17 水晶或引用 6 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30262 Low-Jitter时钟生成器 0.17 水晶或引用 10 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
DSC612 低功耗时钟发生器 140 集成MEMS 2 LV互补金属氧化物半导体
DSA557-03 Low-Jitter时钟生成器 作为PCIe Gen1/2/3/4 集成MEMS 2 HCSL、LVDS LV互补金属氧化物半导体
DSA557-05 Low-Jitter时钟生成器 作为PCIe Gen1/2/3/4 集成MEMS 4 HCSL / LVDS / LV互补金属氧化物半导体
DSA557-04 Low-Jitter时钟生成器 作为PCIe Gen1/2/3/4 集成MEMS 3 HCSL、LVDS LV互补金属氧化物半导体
ZL30245 Low-Jitter时钟生成器 0.16 水晶或引用 6 CML,互补金属氧化物半导体
ZL30250 Low-Jitter时钟生成器 0.16 水晶或引用 3 CML,互补金属氧化物半导体
MX8Up to 7 Low-Jitter时钟生成器 0.078 集成的水晶 6 Cmos, pecl, lvds, HCSL
DSA400 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 4 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS HCSL
DSA2000 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 Lvcmos, lvpecl, lvds, HCSL
SM80Up to 6022 Low-Jitter时钟生成器 0.078 水晶或引用 6 Cmos, pecl, lvds, HCSL
ZL30251 Low-Jitter时钟生成器 0.16 水晶或引用 3 CML,互补金属氧化物半导体
ZL30260 Low-Jitter时钟生成器 0.17 水晶或引用 6 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30264 Low-Jitter时钟生成器 0.17 水晶或引用 6 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL302Up to 65 Low-Jitter时钟生成器 0.17 水晶或引用 6 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30266 Low-Jitter时钟生成器 0.17 水晶或引用 10 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30267 Low-Jitter时钟生成器 0.17 水晶或引用 10 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30281 Low-Jitter时钟生成器 0.16 水晶 3 CML,互补金属氧化物半导体
ZL30282 Low-Jitter时钟生成器 0.16 水晶 6 CML,互补金属氧化物半导体
DSA612 低功耗时钟发生器 140 集成MEMS 2 LV互补金属氧化物半导体
DSA613 低功耗时钟发生器 140 集成MEMS 3 LV互补金属氧化物半导体
MX85 Low-Jitter时钟生成器 0.2 10 集成MEMS 5 Cmos, pecl, lvds, HCSL
ZL30263 Low-Jitter时钟生成器 0.17 水晶或引用 10 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
SM80Up to 6 Low-Jitter时钟生成器 0.078 水晶或引用 6 Cmos, pecl, lvds, HCSL
PL663-18 VCXO 190 水晶 9 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS
PL500-16 VCXO 2.5 水晶 1 LV互补金属氧化物半导体
PL500-17 VCXO 2.5 水晶 1 LV互补金属氧化物半导体
PL500-37 VCXO 2.5 水晶 1 LV互补金属氧化物半导体
PL663-28 VCXO 水晶 19 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS
PL663-29 VCXO 2.5 水晶 19 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS
SM802 Low-Jitter时钟生成器 0.260 水晶或引用 8 HSCL
PL611-01 低功耗时钟发生器 3 40 水晶或引用 3 LV互补金属氧化物半导体
PL611-30 低功耗时钟发生器 2.5 40 水晶或引用 3 Pecl, lvds, hcsl, cmos
PL611-31 低功耗时钟发生器 2.5 40 水晶或引用 3 Pecl, lvds, hcsl, cmos
PL671-01 时钟调节 100 水晶或引用 3 互补金属氧化物半导体
PL671-02 时钟调节 100 水晶或引用 3 互补金属氧化物半导体
PL671-25 时钟调节 100 水晶或引用 2 互补金属氧化物半导体
PL671-30 时钟调节 100 水晶或引用 1 互补金属氧化物半导体
PL602-03 Low-Jitter时钟生成器 3 40 水晶 1 LV互补金属氧化物半导体
PL602-04 Low-Jitter时钟生成器 3 40 水晶 1 LV互补金属氧化物半导体
PL611s-18 低功耗时钟发生器 70 水晶或引用 2 LV互补金属氧化物半导体
PL611s-19 低功耗时钟发生器 70 参考 2 LV互补金属氧化物半导体
PL613-01 低功耗时钟发生器 300 水晶或引用 8 LV互补金属氧化物半导体
PL613-21 低功耗时钟发生器 300 水晶或引用 4 LV互补金属氧化物半导体
PL502-39 VCXO LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS
SM843256 Low-Jitter时钟生成器 水晶 6 LVPECL
SM844256 Low-Jitter时钟生成器 水晶 6 LVDS
SY87729L 时钟合成器 振荡器 1 PECL
SY89537L 时钟合成器 80 水晶或引用 7 LVPECL, LVDS
DSC2010
DSC2011 Low-Jitter时钟生成器 1.7 30 集成MEMS 2 LV互补金属氧化物半导体
DSC2022 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 LVPECL
DSC2030 Low-Jitter时钟生成器 1.7 1 LVDS
DSC2031 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 LVDS, LV互补金属氧化物半导体
DSC2033 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 LVDS
DSC2040 Low-Jitter时钟生成器 1.7 1 HCSL
DSC2041 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 HCSL, LV互补金属氧化物半导体
DSC2042 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 HCSL, LVPECL
DSC2044 Low-Jitter时钟生成器 1.7 30 集成MEMS 2 HCSL
DSC2210 没有一个
DSC2211 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 LV互补金属氧化物半导体
DSC2222 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 LVPECL
DSC2233 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 2 LVDS
DSC2311 Low-Jitter时钟生成器 1.7 1.7 集成MEMS 2 LV互补金属氧化物半导体
DSC400 Low-Jitter时钟生成器 1.7 集成MEMS 4 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS HCSL
DSC557-03 Low-Jitter时钟生成器 作为PCIe Gen1/2/3/4 集成MEMS 2 HCSL、LVDS LV互补金属氧化物半导体
DSC557-04 Low-Jitter时钟生成器 作为PCIe Gen1/2/3/4 集成MEMS 3 HCSL、LVDS LV互补金属氧化物半导体
DSC557-05 Low-Jitter时钟生成器 作为PCIe Gen1/2/3/4 集成MEMS 4 HCSL、LVDS LV互补金属氧化物半导体
PL602032 Low-Jitter时钟生成器 2.5 水晶 2 HCSL
PL602033 Low-Jitter时钟生成器 2.5 28 水晶 2 LV互补金属氧化物半导体, HCSL
PL602041 Low-Jitter时钟生成器 0.22 水晶 4 HCSL
PL602081 Low-Jitter时钟生成器 0.22 水晶 8 HCSL
PL602082 Low-Jitter时钟生成器 0.22 水晶或引用 8 HCSL
PL602-21 Low-Jitter时钟生成器 2.5 水晶或引用 1 HCSL
PL602-22 Low-Jitter时钟生成器 2.5 水晶或引用 1 HCSL
PL602-23 Low-Jitter时钟生成器 2.5 水晶或引用 1 HCSL
PL611s-27 低功耗时钟发生器 参考 2 LV互补金属氧化物半导体
PL613-05 低功耗时钟发生器 300 水晶或引用 3 LV互补金属氧化物半导体
PL607041 Low-Jitter时钟生成器 0.78 水晶 4 HCSL
PL607081 Low-Jitter时钟生成器 0.78 水晶 8 HCSL
PL902 Low-Jitter时钟生成器 0.115 5 水晶或引用 12 Pecl, lvds, hcsl, cmos
PL903 时钟调节 参考 1 LVPECL、LVDS HCSL LV互补金属氧化物半导体
PL904 时钟调节 参考 2 LVPECL、LVDS HCSL LV互补金属氧化物半导体
SM803 Low-Jitter时钟生成器 0.180 水晶或引用 12 Cmos, pecl, lvds, HCSL
SM813XXX Low-Jitter时钟生成器 0.115 5 水晶或引用 12 Pecl, lvds, hcsl, cmos
MIC1555 计时器
MIC1557 计时器
PL620-88 Low-Jitter时钟生成器
查看所有参数化
Product 典型的抖动 输入类型 数量的输出 输出频率最小. (MHz) 输出频率最大. (MHz) 输出逻辑
ZL30261 0.17 水晶或引用 6 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30262 0.17 水晶或引用 10 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30250 0.16 水晶或引用 3 0.000001 1035 CML,互补金属氧化物半导体
ZL30251 0.16 水晶或引用 3 0.000001 1035 CML,互补金属氧化物半导体
ZL30260 0.17 水晶或引用 6 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30264 0.17 水晶或引用 6 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL302Up to 65 0.17 水晶或引用 6 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30266 0.17 水晶或引用 10 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30263 0.17 水晶或引用 10 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
SM80Up to 6 0.078 水晶或引用 6 12 875 Cmos, pecl, lvds, HCSL
SM803 0.180 水晶或引用 12 12 850 Cmos, pecl, lvds, HCSL
查看所有参数化
Product 典型的抖动 输入类型 数量的输出 输出频率最小. (MHz) 输出频率最大. (MHz) 输出逻辑
ZL30261 0.17 水晶或引用 6 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30262 0.17 水晶或引用 10 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30250 0.16 水晶或引用 3 0.000001 1035 CML,互补金属氧化物半导体
ZL30251 0.16 水晶或引用 3 0.000001 1035 CML,互补金属氧化物半导体
ZL30260 0.17 水晶或引用 6 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30264 0.17 水晶或引用 6 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL302Up to 65 0.17 水晶或引用 6 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30266 0.17 水晶或引用 10 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
ZL30263 0.17 水晶或引用 10 0.000001 1045 Lvds, lvpecl, hcsl, cmos, HSTL
SM80Up to 6 0.078 水晶或引用 6 12 875 Cmos, pecl, lvds, HCSL
SM803 0.180 水晶或引用 12 12 850 Cmos, pecl, lvds, HCSL
查看所有参数化
Product 类别 最小输出频率(MHz) 输出频率Max (MHz) 输出逻辑 频率稳定度(ppm) 临时. 范围(°C)
PL620-88
DSC1001 低功率振荡器 1 150 LV互补金属氧化物半导体 ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1003 低功率振荡器 1 150 LV互补金属氧化物半导体 ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1004 低功率振荡器 1 150 LV互补金属氧化物半导体 ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1101 低抖动振荡器 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 ±10, ±25, ±50 -55 to 125
DSC1102 低抖动振荡器 2.3 460 LVPECL ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1103 低抖动振荡器 2.3 460 LVDS ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1104 低抖动振荡器 2.3 460 HCSL ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1121 低抖动振荡器 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 ±10, ±25, ±50 -55 to 125
DSC1122 低抖动振荡器 2.3 460 LVPECL ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1123 低抖动振荡器 2.3 460 LVDS ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1124 低抖动振荡器 2.3 460 HCSL ±10, ±25, ±50 -40 to 105
MIC1555 0 0 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS
MX555ABA 19 250 LVPECL
MX555ABH 19 800 LVPECL
MX55/57 晶体振荡器 12 870 Cmos, lvpecl, lvds, HCSL ±50 -40 to 85
DSC6000 低功率振荡器 0.002 80 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 85
DSC2010 低抖动振荡器 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 ±10, ±25, ±50 -55 to 125
DSC2011 多输出振荡 0 0
DSC2311 多输出振荡 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 +/- 25/50 -50 to 125
DSC2022 多输出振荡 0 0
DSC2031 多输出振荡 0 0
DSC2033 多输出振荡 2.3 460 LVDS -20 to 105
DSC2040 多输出振荡 0 0
DSC2041 多输出振荡 0 0
DSC2042 多输出振荡 0 0
DSC2044 多输出振荡 0 0
DSC400 多输出振荡 2.3 460 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS HCSL +/- 25/50 -40 to 105
DSC2030 多输出振荡 2.3 460 LVDS -20 to 105
DSC2233 多输出振荡 0 0
DSC6100 低功率振荡器 0.002 100 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 85
DSC6301 扩展频谱振子 1 100 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 85
PL520-20 振荡器死 100 100 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS -40 to 85
PL520-30 振荡器死 65 65 LVPECL, LVDS -40 to 85
PL520-80 振荡器死 9.5 9.5 LVPECL, LVDS -40 to 85
PL502-00 振荡器死 12 200 LV互补金属氧化物半导体 -40 to 85
PL502-30 振荡器死 0.75 800 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS -40 to 85
PL520-00 振荡器死 100 1000 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS -40 to 85
PL565-08 振荡器死 600 800 LVPECL -40 to 85
PL560-08 振荡器死 250 600 LVPECL -40 to 85
DSC6300 扩展频谱振子 1 100 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 80
DSC8001 可编程振荡器 1 170 LV互补金属氧化物半导体 ±10, ±25, ±50 -40 to 105
DSC1105 低抖动振荡器 2.3 100 LV互补金属氧化物半导体 ±10, ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSA1001 汽车振荡器 1 150 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 105
DSA1101 汽车振荡器 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSA1121 汽车振荡器 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSA1103 汽车振荡器 2.3 460 LVDS ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSA1123 汽车振荡器 2.3 460 LVDS ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSA1104 汽车振荡器 2.3 460 HCSL ±20, ±25, ±50 -40 to 105
DSA1124 汽车振荡器 2.3 460 HCSL ±20, ±25, ±50 -40 to 105
DSA1105 汽车振荡器 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSC6311 扩展频谱振子 1 100 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 85
DSC6331 扩展频谱振子 1 100 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 85
DSC6302 扩展频谱振子 1 100 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 85
PL560-48 振荡器死 60 160 LVPECL -40 to 85
PL620-30 振荡器死 32.5 130 LVPECL, LVDS -40 to 85
PL620-20 振荡器死 100 200 LVPECL, LVDS -40 to 85
PL620-21 振荡器死 100 200 LVPECL, LVDS -40 to 85
PL620-80 振荡器死 9.5 65 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS -40 to 85
PL602-00 振荡器死 12 200 LV互补金属氧化物半导体 -40 to 85
PL620-00 振荡器死 100 800 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS -40 to 85
PL610-01 振荡器死 10 130 LV互补金属氧化物半导体 -40 to 85
PL610-32 振荡器死 0.032768 0.032768 LV互补金属氧化物半导体 -40 to 85
PL611s-02 振荡器死 2 200 LV互补金属氧化物半导体 -40 to 85
PL611s-04 振荡器死 2 200 LV互补金属氧化物半导体 -40 to 85
PL565-68 振荡器死 250 320 LVPECL -40 to 85
PL565-37 振荡器死 120 250 LV互补金属氧化物半导体 -40 to 85
PL560-47 振荡器死 60 160 LV互补金属氧化物半导体 -40 to 85
DSA1125 汽车振荡器 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
MXT57 TCXO 10 860 LV互补金属氧化物半导体、LVPECL LVDS HCSL ±2.5, ±5.0 -40 to 85
PL610 振荡器死 1.3 61 LV互补金属氧化物半导体
DSC2210 低抖动振荡器 2 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -55 to 125
DSA2311 汽车振荡器 2.3 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSC6000B 低功率振荡器 0.002 80 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSC6100B 低功率振荡器 0.0035 100 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSC2110 低抖动振荡器 2 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -55 to 125
DSC6300B 扩展频谱振子 1 100 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 125
DSC1200 低抖动振荡器 2.5 450 LVDS / HCSL / LVPECL ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSC1201 低抖动振荡器 2.5 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSA6300 汽车振荡器 1 100 LV互补金属氧化物半导体 ±25, ±50 -40 to 125
DSA6000 汽车振荡器 0.002 80 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSA6100 汽车振荡器 0.0035 100 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
1000年c-ocxo 高性能晶体振荡器 0 5 N/A 0.005 0 to 55
DSA1201 汽车振荡器 2.5 170 LV互补金属氧化物半导体 ±20, ±25, ±50 -40 to 125
DSA1200 汽车振荡器 2.5 450 LVDS / HCSL / LVPECL ±20, ±25, ±50 -40 to 125
VT-701 TCXO 5 27 互补金属氧化物半导体 +/-0.5, +/-1.0 0~ +55 to -40 ~ +85
PS-702 看到振荡器 150 1000 0~ +70 to -40 ~ +85
VS-702 看到振荡器 150 1000 0~ +70 to -40 ~ +85
VC-709 晶体振荡器 13.5 220 LVPECL、LVDS HCSL 20, 25, 50, 100 -10 ~+70 to -40 ~ +85
VC-711 晶体振荡器 10 220 LVPECL, LVDS 20, 25, 50, 100 -10 ~ +70 to -40 ~ +105
VC-801 晶体振荡器 0.032777 125 互补金属氧化物半导体 20, 25, 32, 50, 100 -10 ~ +70 to -55 ~ +125
VC-806 晶体振荡器 25 250 LVPECL, LVDS 25, 50, 100