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世界上最可靠的记忆


我们今天使用的电子系统需要某种形式的存储器来存储数据和软件. 作为一家领先的高品质存储产品供应商, 我们提供广泛的系列eepm组合, Serial EERAM, ParallelEEPROM, OTP EPROM, Serial Flash, Parallel的Flash, Serial SRAM, NV静态存储器, 和Crypto内存® 安全ic,以满足您的内存需求.  我们还提供业界第一个商用串行内存控制器,用于高性能数据中心计算应用. 我们广泛的测试协议确保了行业领先的稳健性和耐久性,以及一流的质量,为您提供可靠的产品, 可靠的技术支持和始终如一的设备供应贯穿您的产品生命周期.

内存LinkProduct Selection Tool


内存LinkProduct Selection Tool是一个伟大的发现工具,它提供了我们所有内存产品和支持开发板的全面概述. 这个交互式工具包含可选择的链接,允许您快速导航到特定于产品的信息.  这是一个在线的网络工具或为方便您下载PDF.

串行eepm存储器产品

Serial EEPROM

串行eeprom是低功耗的, 具有稳定运行范围的非易失性存储设备, 小尺寸和字节可更改性, 使其成为数据和程序存储的理想选择. 串行eeprom可写入100万次以上.

  • 128位~ 4mbit
  • 可在我2C, SPI,微线,单线和UNI/O® 总线模式
系列EERAM存储器产品

Serial EERAM

EERAM是一个带有影子eepm备份的非易失性静态存储器. 在断电时,使用一个小的外部电容,数据自动备份到eepm上. 不像NV静态存储器,它不需要外部电池. 这种设备结合了eepm的可靠性和静态存储器的性能. EERAM提供无限的内存擦除和写入周期.

  • SPI: 64kbit到1mbit
  • I2C: 4kbit ~ 64kbit
  • 可在SOIC-8, tsop -8, TDFN-8
Serial Flash产品

Serial Flash

我们的串行Quad I/O™(SQI™)和SPI 闪光设备是由我们的专利制造, 高性能CMOS Super闪光® 技术, 在降低功耗的同时,哪些显著提高了性能(在小于25 ms的时间内删除任何块)和可靠性(100年的数据保留).

  • 512kbit到64mbit在3V和多种密度在1.8V
  • SQI 闪光设备:高达104 MHz,包括先进的安全功能
并行闪存产品

Parallel的Flash

我们的多用途并行闪存是由我们的专利制造, 高性能CMOS Super闪光 该技术显著提高了性能(在25毫秒内删除任何块)和可靠性(100年数据保留),同时降低了功耗.

  • 3V时为1mbit至64mbit, 5V和1.8V
  • 高级强积金+提供优越的读取性能和安全功能
系列静态存储器存储器产品

Serial SRAM

串行静态存储器是一种独立的易失性存储器,它提供了一种简单而廉价的方式来为您的应用程序添加更多的RAM. 这些8针设备有无限的耐力和零写入时间.

  • 64kbit ~ 1mbit
  • SPI, SDI和SQI总线模式
系列NV静态存储器内存产品

Serial NVSRAM

系列NV静态存储器价格低廉, 非易失性RAM存储通过外部电池,是理想的应用程序,需要经常写入内存.

  • 512kbit ~ 1mbit
  • 电池支持
并行eepm存储器产品

ParallelEEPROM

并行eepm提供了强大的非易失性存储器,读取时间比串行eepm更快,可用于直接执行代码和通信中的高可靠性数据存储, 航空电子设备, 军事和其他应用.

  • 64kbit ~ 1mbit with 2.7V和5V选项
  • 并行数据访问,类似于用于读写周期的静态RAM.
OTP EPROM内存产品

OTP EPROM

一次性可编程(OTP) EPROM技术具有快速的并行访问时间,提供了安全性, 卓越的固件和数据保护的不可更改内存.

  • 256kbit到8mbit, 5V, 3V,电池电压2.7 v选项
  • 快速编程算法:100 μs/字节
安全密钥存储设备

CryptoAuthentication™ ICs

这些安全密钥存储设备提供了一个真正的安全边界来保护加密密钥. 它们有助于防止假冒配件和一次性应用程序,还可以确保物联网设备的相互认证.

Smart Memory Controller

Smart Memory Controller

该行业的第一个商用串行存储控制器, SMC 1000 8x25G, 使cpu和其他以计算为中心的soc能够使用4倍于并行附加DDR4 DRAM的内存通道, 为计算密集型平台提供更高的内存带宽和媒体独立性,具有超低延迟.

  • 提高内存带宽
  • 媒体独立
  • 解决方案成本降低

内存产品比较


  串行
eepm
平行
eepm
OTP
EPROM
串行
闪光
平行
闪光
串行
静态存储器
串行
NV静态存储器
串行
EERAM
  探索产品 探索产品 探索产品 探索产品 探索产品 探索产品  探索产品 探索产品
密度 128 4 bit Mb 64 Kb-1 Mb 256 Kb-8 Mb 512 kb - 64 Mb 1–64 Mb 64 Kb-1 Mb 512kb - 1mb 4 Kb-1 Mb
时钟频率 0.4兆赫 70 ns 45 ns 20 - 104 MHz 55–70 ns 16 - 20 MHz 16 - 20 MHz 1 - 66兆赫
成本/位 媒介 媒介 媒介
阅读时间 媒介 媒介 媒介 媒介 媒介
写时间 媒介 N/A 媒介 瞬时 瞬时 瞬时
销数 2到8个引脚 28和32个针 28至44针 8针 32和48针 8针 8针 8针
数据保留 200年以上 10年 10年 100年以上 100年以上 挥发性 20年以上
(带电池)
100年以上
Typ. 待机电流 1 µA 200 µA 100 µA ~15 µA ~30 µA ~4 µA ~4 µA ~40 µA
电压 1.7V–5.5V 2.7V,
5V
2.7V,
5V
1.65V–1.95V,
2.7V–3.6V,
2.3V–3.6V
1.65V - 1.95V,
2.7V–3.6V,
4.5V–5.5V
1.65V–1.95V,
2.5V–5.5V
2.5V–5.5V 2.7V–3.6V,
4.5V–5.5V
温度 −55°C + 150°C 1 −55°C + 125°C −40°C + 85°C −40°C + 125°C 1 −40°C + 85°C −40°C + 125°C −40°C + 85°C −40°C + 125°C 1

1. 选择的密度