世界上最可靠的记忆
专业内存产品
Serial EEPROM
串行eeprom是低功耗的, 具有稳定运行范围的非易失性存储设备, 小尺寸和字节可更改性, 使其成为数据和程序存储的理想选择. 串行eeprom可写入100万次以上.
- 128位~ 4mbit
- 可在我2C, SPI，微线，单线和UNI/O® 总线模式
Serial EERAM
EERAM是一个带有影子eepm备份的非易失性静态存储器. 在断电时，使用一个小的外部电容，数据自动备份到eepm上. 不像NV静态存储器，它不需要外部电池. 这种设备结合了eepm的可靠性和静态存储器的性能. EERAM提供无限的内存擦除和写入周期.
- SPI: 64kbit到1mbit
- I2C: 4kbit ~ 64kbit
- 可在SOIC-8, tsop -8, TDFN-8
Serial Flash
我们的串行Quad I/O™(SQI™)和SPI 闪光设备是由我们的专利制造, 高性能CMOS Super闪光® 技术, 在降低功耗的同时，哪些显著提高了性能(在小于25 ms的时间内删除任何块)和可靠性(100年的数据保留).
- 512kbit到64mbit在3V和多种密度在1.8V
- SQI 闪光设备:高达104 MHz，包括先进的安全功能
Parallel的Flash
我们的多用途并行闪存是由我们的专利制造, 高性能CMOS Super闪光 该技术显著提高了性能(在25毫秒内删除任何块)和可靠性(100年数据保留)，同时降低了功耗.
- 3V时为1mbit至64mbit, 5V和1.8V
- 高级强积金+提供优越的读取性能和安全功能
Serial SRAM
串行静态存储器是一种独立的易失性存储器，它提供了一种简单而廉价的方式来为您的应用程序添加更多的RAM. 这些8针设备有无限的耐力和零写入时间.
- 64kbit ~ 1mbit
- SPI, SDI和SQI总线模式
Serial NVSRAM
系列NV静态存储器价格低廉, 非易失性RAM存储通过外部电池，是理想的应用程序，需要经常写入内存.
- 512kbit ~ 1mbit
- 电池支持
ParallelEEPROM
并行eepm提供了强大的非易失性存储器，读取时间比串行eepm更快，可用于直接执行代码和通信中的高可靠性数据存储, 航空电子设备, 军事和其他应用.
- 64kbit ~ 1mbit with 2.7V和5V选项
- 并行数据访问，类似于用于读写周期的静态RAM.
OTP EPROM
一次性可编程(OTP) EPROM技术具有快速的并行访问时间，提供了安全性, 卓越的固件和数据保护的不可更改内存.
- 256kbit到8mbit, 5V, 3V，电池电压2.7 v选项
- 快速编程算法:100 μs/字节
CryptoAuthentication™ ICs
这些安全密钥存储设备提供了一个真正的安全边界来保护加密密钥. 它们有助于防止假冒配件和一次性应用程序，还可以确保物联网设备的相互认证.
Smart Memory Controller
该行业的第一个商用串行存储控制器, SMC 1000 8x25G, 使cpu和其他以计算为中心的soc能够使用4倍于并行附加DDR4 DRAM的内存通道, 为计算密集型平台提供更高的内存带宽和媒体独立性，具有超低延迟.
- 提高内存带宽
- 媒体独立
- 解决方案成本降低
