我们检测到您正在使用不支持的浏览器. 为了获得最好的体验,请使用Chrome, Firefox, Safari或Edge访问该网站. X

Super闪光® 该技术是一种创新和通用类型的NOR闪存,利用专有的分闸单元结构提供卓越的性能, 数据保留和可靠性超过传统的堆叠门闪光. 观看我们的超级闪存闪存技术优势网络研讨会,了解超级闪存单元如何不同于传统的闪存单元运行.

SuperFlash® Flash Memory Technology Advantages Webinar

使用晶体管级存储单元描述, 这个视频解释了技术细节背后的Super闪光存储器的优势,传统的NOR 闪光存储器. 更好的耐力, 降低细胞力量, 通过比较闪光和Super闪光存储单元的功能差异,可以证明擦除时间提高了1000倍. 

业界最快的擦除时间

独特的分闸单元设计允许Products与Super闪光技术提供最快的部门, 块和芯片擦除时间可用. 而一个典型的64mb闪存可能需要长达100秒的时间来执行一次完整的芯片擦除, 采用Super闪光技术的同类Products,可在不到100毫秒内完成相同操作.

如图1所示, 芯片擦除时间变得更重要的密度增加竞争设备. 使用Super闪光技术,芯片擦除仍然保持极高的速度,无论密度.

过度擦除是一种影响传统堆叠门闪光的条件. 过擦除电池在漏极和浮栅之间产生漏电流路径, 哪些会导致读取失败. 为了对抗这种影响, 堆叠门闪光需要多个擦除脉冲, 软编程和擦除验证周期,以确保一个紧阈值电压窗口的闪光电池. 过擦和由此产生的电池泄漏不会影响分裂栅电池设计的Super闪光技术,因为浮动栅是孤立的漏. 因此, 在cell erase过程中,额外的软程序和erase验证步骤是不需要Super闪光技术的. 其结果是一个闪存可以执行一次完整的芯片擦除最多1次,比一般的闪光快000倍.

更快的擦除时间节省你的钱

您的工厂可能正在浪费宝贵的时间测试闪存. 超级闪存极大地提高了生产吞吐量, 节省测试成本,避免额外的测试设备投资,以满足您的客户的需求. 堆叠门闪光需要分钟每板而超级闪光只需要秒. 不要被这些隐藏的Products成本吓到.

我们创建了一个交互式的储蓄计算器,显示你的年度储蓄可能是什么,如果你选择超级闪存技术. 试一试.

高可靠性和数据保留


Super闪光技术采用了比传统的堆叠栅闪光更厚的氧化层. 较厚的氧化层更不容易受到缺陷和损坏的影响,这些缺陷和损坏会产生泄漏路径并最终导致电池数据丢失. 请注意,Super闪光技术单元的浮动门在边缘也有一个钩或缺口. 这个钩子会产生一个强大的电场,提高擦除操作的性能和可靠性.

Products


串行NOR 闪光 内存 (SPI, Quad SPI/QSPI)Products密度

平行NOR闪存Products密度

准备使用超级闪存技术?


现在你已经知道如何使用Super闪光技术可以节省时间和金钱, 为您的应用程序找到正确的Super闪光存储设备. 我们提供关键的设计考虑,使Products选择容易.

Develop工具


Serial SuperFlash® Kit 2

Part Number: AC243008

该系列Super闪光套件2包含三个系列闪光子板,设计用于与Explorer 16/32开发板上的mikroBUS™连接器接口.

SQI SuperFlash Kit 1

Part Number: AC243009

SQI SuperFlash Kit 1包含三个系列闪光子板,用于与Explorer 16/32开发板上的mikroBUS连接器接口.

Parallel SuperFlash Kit 1

Part Number: AC243006-1

这个评估包包含两个并行的闪光 PICtail™Plus子板,旨在与Explorer 16开发板上的PICtail Plus连接器进行接口.

Documentation


Title 下载
内存Products宣传册 下载
Super闪光®内存Products 下载

内存Products比较


  串行
eepm
平行
eepm
OTP
EPROM
串行
闪光
平行
闪光
串行
静态存储器
串行
NV静态存储器
串行
EERAM
  探索Products 探索Products 探索Products 探索Products 探索Products 探索Products  探索Products 探索Products
密度 128位- 4 Mb 64kb - 1mb 256kb - 8mb 512kb - 64mb 1 - 64 Mb 64kb - 1mb 512kb - 1mb 4kb - 1mb
时钟频率 0.4 - 20mhz 70 ns 45 ns 20 - 104兆赫 55-70 ns 16 - 20mhz 16 - 20mhz 1 - 66兆赫
成本/位 媒介 媒介 媒介
阅读时间 媒介 媒介 媒介 媒介 媒介
写时间 媒介 N/A 媒介 瞬时 瞬时 瞬时
销数 2到8个引脚 28和32个针 28至44针 8针 32和48针 8针 8针 8针
数据保留 200年以上 10年 10年 100年以上 100年以上 挥发性 20年以上
(带电池)
100年以上
Typ. 待机电流 1 µA 200 µA 100 µA ~15 µA ~30 µA ~4 µA ~4 µA ~40 µA
电压 1.7 V - 5.5V 2.7V,
5V
2.7V,
5V
1.65V - 1.95V,
2.7V - 3.6V,
2.3V - 3.6V
1.65V - 1.95V,
2.7V - 3.6V,
4.5V - 5.5V
1.65V - 1.95V,
2.5V - 5.5V
2.5V - 5.5V 2.7V - 3.6V,
4.5V - 5.5V
温度 -55°C + 150°C 1 -55°C + 125°C -40°C + 85°C -40°C + 125°C 1 -40°C + 85°C -40°C + 125°C -40°C + 85°C -40°C + 125°C 1

1. 选择的密度