Super闪光®内存技术

独特的分闸单元设计允许Products与Super闪光技术提供最快的部门, 块和芯片擦除时间可用. 而一个典型的64mb闪存可能需要长达100秒的时间来执行一次完整的芯片擦除, 采用Super闪光技术的同类Products，可在不到100毫秒内完成相同操作.

如图1所示, 芯片擦除时间变得更重要的密度增加竞争设备. 使用Super闪光技术，芯片擦除仍然保持极高的速度，无论密度.

过度擦除是一种影响传统堆叠门闪光的条件. 过擦除电池在漏极和浮栅之间产生漏电流路径, 哪些会导致读取失败. 为了对抗这种影响, 堆叠门闪光需要多个擦除脉冲, 软编程和擦除验证周期，以确保一个紧阈值电压窗口的闪光电池. 过擦和由此产生的电池泄漏不会影响分裂栅电池设计的Super闪光技术，因为浮动栅是孤立的漏. 因此, 在cell erase过程中，额外的软程序和erase验证步骤是不需要Super闪光技术的. 其结果是一个闪存可以执行一次完整的芯片擦除最多1次,比一般的闪光快000倍.

您的工厂可能正在浪费宝贵的时间测试闪存. 超级闪存极大地提高了生产吞吐量, 节省测试成本，避免额外的测试设备投资，以满足您的客户的需求. 堆叠门闪光需要分钟每板而超级闪光只需要秒. 不要被这些隐藏的Products成本吓到.

我们创建了一个交互式的储蓄计算器，显示你的年度储蓄可能是什么，如果你选择超级闪存技术. 试一试.