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串行静态存储器和串行NV静态存储器

串行存储器

串行静态存储器是一个独立的易失性存储器，为您提供了一个简单和廉价的方式来添加更多的RAM到您的应用程序. 这些产品有低功耗, 高性能静态存储器设备具有无限的耐久性和零写入时间, 使其成为涉及连续数据传输的应用程序的理想选择, 缓冲, 数据记录, audio, video, 互联网, 图形和其他数学和数据密集型函数. 这些设备的密度从64kbit到1mbit，并支持SPI, SDI和SQI™总线模式.

每秒64比特

每秒256比特

每秒512比特

1 Mbit

串行NV静态存储器

串行NV静态存储器提供了非易失性RAM存储，是需要经常写入内存的应用程序的理想选择. 这种设备比其他非易失RAM设备的成本要低得多, 数据是由外部电池支持的. 这个产品有, SPI设备支持无限的瞬时写入存储器阵列, 使其在仪表等应用中非常理想, 数据记录器, 数据记录器或黑匣子. 这些设备的密度为512kbits和1mbit.

每秒512比特

1 Mbit

RAM扩展选项

传统上有两种增加应用程序内存的方法:

使用更大的微控制器(MCU):如果你必须买一个更大的，这个选项就不那么吸引人了, 更昂贵的MCU只是为了获得更多的RAM
使用外部并行RAM:但并行RAM使用大的包，通常需要至少16-20个I/ o

串行静态存储器为您提供了在设计中添加RAM的灵活性，而没有大型MCU或并行RAM的缺点，并使用简单的4针SPI接口. 这些设备还提供了改进的性能与SDI和SQI接口，提供了高达4倍的数据速率改进.

Documentation

应用笔记
宣传册

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推荐使用微芯片SPI串行静态存储器设备	下载
使用C30编译器接口串行静态存储器设备到dsPIC33F和PIC24F	下载
使用C32编译器将串行静态存储器设备接口到PIC32 mcu	下载
使用C18/高科技C编译器接口串行静态存储器设备到PIC16F/PIC18F微控制器	下载

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内存产品宣传册	下载

SerialStorage器 in 2 Minutes

简短的视频解释什么是串行静态存储器和如何使用它.

内存产品比较

	串行 eepm	平行 eepm	OTP EPROM	串行闪光	平行闪光	串行静态存储器	串行 NV静态存储器	串行 EERAM
	探索产品	探索产品	探索产品	探索产品	探索产品	探索产品	探索产品	探索产品
密度	128位- 4 Mb	64kb - 1mb	256kb - 8mb	512kb - 64mb	1 - 64 Mb	64kb - 1mb	512kb - 1mb	4kb - 1mb
时钟频率	0.4 - 20mhz	70 ns	45 ns	20 - 104兆赫	55-70 ns	16 - 20mhz	16 - 20mhz	1 - 66兆赫
成本/位	高	高	高	低	低	媒介	媒介	媒介
阅读时间	媒介	快	快	媒介	快	媒介	媒介	媒介
写时间	媒介	快	N/A	媒介	快	瞬时	瞬时	瞬时
销数	2到8个引脚	28和32个针	28至44针	8针	32和48针	8针	8针	8针
数据保留	200年以上	10年	10年	100年以上	100年以上	挥发性	20年以上 (带电池)	100年以上
Typ. 待机电流	1 µA	200 µA	100 µA	~15 µA	~30 µA	~4 µA	~4 µA	~40 µA
电压	1.7 V - 5.5V	2.7V, 5V	2.7V, 5V	1.65V - 1.95V, 2.7V - 3.6V, 2.3V - 3.6V	1.65V - 1.95V, 2.7V - 3.6V, 4.5V - 5.5V	1.65V - 1.95V, 2.5V - 5.5V	2.5V - 5.5V	2.7V - 3.6V, 4.5V - 5.5V
温度	-55°C + 150°C ¹	-55°C + 125°C	-40°C + 85°C	-40°C + 125°C ¹	-40°C + 85°C	-40°C + 125°C	-40°C + 85°C	-40°C + 125°C ¹

1. 选择的密度

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