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串行存储器


串行静态存储器是一个独立的易失性存储器,为您提供了一个简单和廉价的方式来添加更多的RAM到您的应用程序. 这些产品有低功耗, 高性能静态存储器设备具有无限的耐久性和零写入时间, 使其成为涉及连续数据传输的应用程序的理想选择, 缓冲, 数据记录, audio, video, 互联网, 图形和其他数学和数据密集型函数. 这些设备的密度从64kbit到1mbit,并支持SPI, SDI和SQI™总线模式.

串行NV静态存储器


串行NV静态存储器提供了非易失性RAM存储,是需要经常写入内存的应用程序的理想选择. 这种设备比其他非易失RAM设备的成本要低得多, 数据是由外部电池支持的. 这个产品有, SPI设备支持无限的瞬时写入存储器阵列, 使其在仪表等应用中非常理想, 数据记录器, 数据记录器或黑匣子. 这些设备的密度为512kbits和1mbit.

RAM扩展选项

传统上有两种增加应用程序内存的方法:

  1. 使用更大的微控制器(MCU):如果你必须买一个更大的,这个选项就不那么吸引人了, 更昂贵的MCU只是为了获得更多的RAM
  2. 使用外部并行RAM:但并行RAM使用大的包,通常需要至少16-20个I/ o
串行静态存储器为您提供了在设计中添加RAM的灵活性,而没有大型MCU或并行RAM的缺点,并使用简单的4针SPI接口. 这些设备还提供了改进的性能与SDI和SQI接口,提供了高达4倍的数据速率改进.

Documentation


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推荐使用微芯片SPI串行静态存储器设备 下载
使用C30编译器接口串行静态存储器设备到dsPIC33F和PIC24F 下载
使用C32编译器将串行静态存储器设备接口到PIC32 mcu 下载
使用C18/高科技C编译器接口串行静态存储器设备到PIC16F/PIC18F微控制器 下载
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内存产品宣传册 下载

SerialStorage器 in 2 Minutes

简短的视频解释什么是串行静态存储器和如何使用它.

内存产品比较


  串行
eepm
平行
eepm
OTP
EPROM
串行
闪光
平行
闪光
串行
静态存储器
串行
NV静态存储器
串行
EERAM
  探索产品 探索产品 探索产品 探索产品 探索产品 探索产品  探索产品 探索产品
密度 128位- 4 Mb 64kb - 1mb 256kb - 8mb 512kb - 64mb 1 - 64 Mb 64kb - 1mb 512kb - 1mb 4kb - 1mb
时钟频率 0.4 - 20mhz 70 ns 45 ns 20 - 104兆赫 55-70 ns 16 - 20mhz 16 - 20mhz 1 - 66兆赫
成本/位 媒介 媒介 媒介
阅读时间 媒介 媒介 媒介 媒介 媒介
写时间 媒介 N/A 媒介 瞬时 瞬时 瞬时
销数 2到8个引脚 28和32个针 28至44针 8针 32和48针 8针 8针 8针
数据保留 200年以上 10年 10年 100年以上 100年以上 挥发性 20年以上
(带电池)
100年以上
Typ. 待机电流 1 µA 200 µA 100 µA ~15 µA ~30 µA ~4 µA ~4 µA ~40 µA
电压 1.7 V - 5.5V 2.7V,
5V
2.7V,
5V
1.65V - 1.95V,
2.7V - 3.6V,
2.3V - 3.6V
1.65V - 1.95V,
2.7V - 3.6V,
4.5V - 5.5V
1.65V - 1.95V,
2.5V - 5.5V
2.5V - 5.5V 2.7V - 3.6V,
4.5V - 5.5V
温度 -55°C + 150°C 1 -55°C + 125°C -40°C + 85°C -40°C + 125°C 1 -40°C + 85°C -40°C + 125°C -40°C + 85°C -40°C + 125°C 1

1. 选择的密度