SMC 1000 8x25G串行内存控制器使cpu和其他以计算为中心的soc能够在相同的封装空间内使用4倍于DDR4的并行附加DRAM的内存通道. SMC 1000 8x25G为高性能计算(HPC)提供更高的内存带宽和媒体独立性。, 大数据, 人工智能和机器学习超低延迟的计算密集型应用.
SMC 1000 8 × 25g接口到CPU通过一个狭窄的8车道差分开放内存接口(OMI)兼容的25 Gbps接口和通过一个宽的72位DDR4 3200接口连接到内存. 支持三种DDR4数据速率—DDR4-2666, ddr4 - 2933, 和DDR4-3200导致每个DDR4内存通道所需的主机CPU或SoC引脚数量显著减少. 这允许更多的内存通道,因此,增加可用内存带宽. SMC 1000 8x25G还具有创新的低延迟设计, 使内存系统具有与同类LRDIMM产品几乎相同的带宽和延迟性能.
与LRDIMM相比,SMC 1000 8x25G将数据和地址合并到一个统一的芯片中, 哪个使用RCD缓冲区和单独的数据缓冲区. 它是一个广泛的OMI内存应用程序的基础构建块, 包括DDIMM (Differential dual inline 内存 Module)应用,如16gb ~ 128gb的标准高1U DDIMM和256gb以上的双高2U DDIMM. 它还支持对RDIMM和NVDIMM-N设备的芯片化应用.
SMC 1000 8x25G集成了一个片上处理器,实现控制路径和初始化等监控功能, 温度监测和诊断. 它支持附加DRAM存储器的制造测试操作. 微芯片的可信平台支持, 包括硬件root-of-trust, 确保设备和固件的真实性,并支持安全的固件更新.