我们的电力离散产品是高质量的解决方案，广泛的高压和大功率应用. 它们包括各种高压开关模式电源(SMPS)晶体管-Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs)，碳化硅(SiC) mosfet和硅mosfet -二极管和射频(RF) mosfet. 许多这些产品在不同的额定电压范围内提供单一和组合打包选项, 电流, 和包的风格.
Silicon Carbide (SiC) Semiconductors
碳化硅(SiC)半导体具有创新性, 提高系统效率的新选项, 支持更高的工作温度, 降低电力电子设计的成本.
Diode and Rectifier Devices
我们提供四个系列的分立二极管产品:中速介质Vf硅D系列, 高速硅DQ系列, 硅肖特基S系列和碳化硅肖特基势垒二极管系列(见Silicon Carbide (SiC) Semiconductors).
Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs)
我们的IGBT产品系列包括六个产品系列，采用了三种不同的IGBT技术:, 穿透(PT)和现场停止.
RF MOSFETs
我们的射频电源产品涵盖2兆赫兹至150兆赫兹, 电源电压为50V至300V，输出功率为50W至3kw. 您可以在半导体资本设备等应用中使用这些设备, 核磁共振成像, 二氧化碳激光与通信.
Power MOSFETs
旨在最大限度地提高性能和可靠性, 我们广泛的硅mosfet包括标准功率mosfet, 抗辐射场效电晶体, FREDFETs, 超快的场效应管, 超结mosfet和线性mosfet.
High-Reliability Power Management
我们在行业中拥有最广泛的合格MIL-PRF-19500设备组合，并增加额外的筛选能力，以满足您的设计的严格要求.
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