我们检测到您正在使用不支持的浏览器. 为了获得最好的体验,请使用Chrome, Firefox, Safari或Edge访问该网站. X

我们的电力离散产品是高质量的解决方案,广泛的高压和大功率应用. 它们包括各种高压开关模式电源(SMPS)晶体管-Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs),碳化硅(SiC) mosfet和硅mosfet -二极管和射频(RF) mosfet. 许多这些产品在不同的额定电压范围内提供单一和组合打包选项, 电流, 和包的风格.  

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

碳化硅(SiC)半导体具有创新性, 提高系统效率的新选项, 支持更高的工作温度, 降低电力电子设计的成本. 

Diode and Rectifier Devices

我们提供四个系列的分立二极管产品:中速介质Vf硅D系列, 高速硅DQ系列, 硅肖特基S系列和碳化硅肖特基势垒二极管系列(见Silicon Carbide (SiC) Semiconductors).

Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs)

我们的IGBT产品系列包括六个产品系列,采用了三种不同的IGBT技术:, 穿透(PT)和现场停止.

RF MOSFETs

我们的射频电源产品涵盖2兆赫兹至150兆赫兹, 电源电压为50V至300V,输出功率为50W至3kw.  您可以在半导体资本设备等应用中使用这些设备, 核磁共振成像, 二氧化碳激光与通信.

Power MOSFETs

旨在最大限度地提高性能和可靠性, 我们广泛的硅mosfet包括标准功率mosfet, 抗辐射场效电晶体, FREDFETs, 超快的场效应管, 超结mosfet和线性mosfet.

High-Reliability Power Management

我们在行业中拥有最广泛的合格MIL-PRF-19500设备组合,并增加额外的筛选能力,以满足您的设计的严格要求.

探讨产品选项


有关我们最新的功率分立和模块产品的信息, 下载我们的电源离散和模块组合手册. 我们定期更新这本小册子,以包括产品选择的最新信息(高压SMPS晶体管, 二极管, RF mosfet和功率模块), 部分强度, 零件编号系统, 包概要和更多内容.