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功率场效应管


您可以使用我们的功率mosfet在高压和高功率的工业应用范围广泛, 汽车, 医疗, 航空航天, 国防和通信市场细分. 我们设计了下一代碳化硅(SiC) mosfet和碳化硅肖特基势垒二极管(SBDs),具有高重复无箝位感应开关(UIS)功能, 优良的栅极氧化物屏蔽和通道完整性,使其运行稳健. 您可以使用我们的辐射硬化mosfet在最严格的空间环境中生存100K总电离剂量(TID)或更高. 我们设计的这些mosfet具有毫欧姆的导通电阻,它们可用于各种小足迹塑料和陶瓷封装.

小信号场效电晶体


我们设计了我们的小信号MOSFETProduct, 也称为界面mosfet, 对低功耗, 信号电平的应用程序. 这些应用包括信号放大和电平转换, 信号旁路, 系统保护或低功率调节(电压和电流调节). 这些mosfet的电阻从几百到多个欧姆的通电阻,他们可在各种小占地面积封装. 您可以将这些小信号设备用于从消费者到医疗等各种市场的各种应用中.

Product Categories


Enhancement-Mode N-Channel MOSFETs

Enhancement-Mode N-Channel MOSFETs

你可以使用这些mosfet在DC-DC转换器开关或线性稳压器通过晶体管. 它们的模式通常是关闭的.

高压功率场效应管:

Enhancement-Mode P-Channel MOSFETs

Enhancement-Mode P-Channel MOSFETs

这些mosfet非常适合用于功率转换器的高侧开关或线性调节器和CMOS开关与n通道mosfet. 它们的模式通常是关闭的

Depletion-Mode N-Channel MOSFETs

Depletion-Mode N-Channel MOSFETs

您可以使用这些mosfet在电源的启动电路集成电路(ICs)或通过晶体管的线性稳压器. 当栅极和源极之间的电压为零时,耗尽模式mosfet被开启. 它们的模式正常开启.

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Arrays

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Arrays

你可以在led驱动电路中使用这些MOSFET阵列, 电机控制和继电器驱动控制器.

Complementary MOSFET Arrays

Complementary MOSFET Arrays

您可以将这些Product用于电机控制电路或DC-DC变换器半桥开关.

抗Radiation Hardened MOSFETs

Radiation Hardened MOSFETs

我们的Rad-Hard mosfet具有低RDS(on)和低总栅电荷. 该设备已开发用于总剂量和单事件环境.

操作方式和通道类型


Enhancement Mode (Normally Off)

mosfet在功率开关中采用了垂直DMOS结构,并具有良好的性能, 坚固的栅极氧化工艺. 有两种增强模式mosfet: P沟道和N沟道. 所有MOS结构的特点, 这些设备没有热失控和热诱导的二次击穿. 你可以使用没有本征体二极管和经常镇流器源区域的横向mosfet线性模式操作放大器, 其中最普遍的是射频功率放大器(如射频功率放大器).g.LDMOS). 

Depletion Mode (Normally On)

这些晶体管也使用了横向DMOS技术. 关键的区别是,损耗模式MOSFET通常是打开和关闭时,Vgs 增加.

N-Channel MOSFETs

N-Channel MOSFETs在栅相对于源被拉为正时得到增强. N-Channel MOSFETs倾向于有更低的RDS(on)单位面积相比p沟道mosfet. 半桥式舞台, 高侧n沟道MOSFET必须具有保持器件开启时栅电压正的方法. 这需要在钢轨上方有一个电压, 当低侧开关打开时,你可以使用bootstrap驱动程序,允许一个飞行的电容器组绑定到高侧开关的源充电,然后与源一起飞起来保持它或与电隔离的驱动程序.  

P-Channel MOSFETs

p沟道mosfet在栅相对于源被拉为负时得到增强. 这在高侧开关应用中通常是有利的,因为电路不需要隔离或bootstrapped驱动器,而是一个简单的夹具来保护栅极氧化物和一个下拉电路或驱动器. p沟道mosfet已广泛应用于低功率高侧开关中, 正轨上的热插拔应用, 电子继电器, 电子断路器和一般直流开关.

功率MOSFET的Product


查看所有参数化
Product 状态 内衣min (V) Rds (on)最大(欧姆) CISSmax (pF) vg (th)马克斯(V)
VN2222L 在生产中 60 7.5 60 2.5 3\TO-92
VN10K 在生产中 60 5.0 60 2.5 3\TO-92
MRH25_Series 在生产中 250 0.210 1980 4.0
2N6660 在生产中 60 3.0 50 2.0 3\TO-39
2N6661 在生产中 90 4.0 50 2.0 3\TO-39
2N7000 在生产中 60 5.0 60 3.0 3\TO-92
2N7002 在生产中 60 7.5 50 2.5 3 \ SOT-23
2N7008 在生产中 60 7.5 50 2.5 3\TO-92
TN0104 在生产中 40 2.0 70 1.6 3 \说- 89 3\TO-92
TN0106 在生产中 60 3.0 60 2.0 3\TO-92
TN0110 在生产中 100 3.0 60 2.0 3\TO-92
TN0604 在生产中 40 0.75 190 1.6 3\TO-92
TN0606 在生产中 60 1.5 150 3.0 3\TO-92
TN0610 在生产中 100 1.5 150 2.0 3\TO-92
TN0620 在生产中 200 6.0 150 1.6 3\TO-92
TN0702 在生产中 20 1.3 200 1.0 3\TO-92
TN2106 在生产中 60 2.5 50 2.0 3 \ SOT-23 3\TO-92
TN2124 在生产中 240 15 50 2.0 3 \ SOT-23
TN2130 在生产中 300 25 50 2.4 3 \ SOT-23
TN2425 在生产中 250 3.5 200 2.5 3 \说- 89
TN2435 在生产中 350 6.0 200 0.8(分钟) 3 \说- 89
TN2501 在生产中 18 2.5 110 1.0 3 \说- 89
TN2504 在生产中 40 1.0 125 1.6 3 \说- 89
TN2510 在生产中 100 1.5 125 2.0 3 \说- 89
TN2524 在生产中 240 6.0 125 2.0 3 \说- 89
TN2540 在生产中 400 12 125 2.0 3 \说- 89 3\TO-92
TN2640 在生产中 400 5.0 225 2.0 3 \ DPAK 3\TO-92 8 \ SOIC
TN5325 在生产中 250 7.0 110 2.0 3 \ SOT-23 3 \说- 89 3\TO-92
TN5335 在生产中 350 15 110 2.0 3 \ SOT-23 3 \说- 89
VN0104 在生产中 40 3.0 65 2.4 3\TO-92
VN0106 在生产中 60 3.0 65 2.4 3\TO-92
VN0109 在生产中 90 3.0 65 2.4 3\TO-92
VN0300 在生产中 30 1.2 190 2.5 3\TO-92
VN0550 在生产中 500 60 55 4.0 3\TO-92
VN0606 在生产中 60 3.0 50 2.0 3\TO-92
VN0808 在生产中 80 4.0 50 2.0 3\TO-92
VN1206 在生产中 120 6.0 125 2.0 3\TO-92
VN2106 在生产中 60 4.0 50 2.4 3\TO-92
VN2110 在生产中 100 4.0 50 2.4 3 \ SOT-23
VN2210 在生产中 100 0.35 500 2.4 3\TO-39 3\TO-92
VN2224 在生产中 240 1.25 350 3.0 3\TO-92
VN2406 在生产中 240 6.0 125 2.0 3\TO-92
VN2410 在生产中 240 10 125 2.0 3\TO-92
VN2450 在生产中 500 13 150 4.0 3 \说- 89 3\TO-92
VN2460 在生产中 600 20 150 4.0 3 \说- 89 3\TO-92
VN3205 在生产中 50 0.3 300 2.4 3 \说- 89 3\TO-92
VN4012 在生产中 400 12 110 1.8 3\TO-92
查看所有参数化
Product MOSFET驱动类型 驱动程序类型 输出峰值电流(源/汇,A) 电容性负载驱动 输出电阻(源/sink, O)
TC4431 高压侧 高端单身 3.0/1.5 15ns 1000 pF 7/7 8 \ PDIP 8 \ SOIC
TC4432 高压侧 高端单身 3.0/1.5 15ns 1000 pF 7/7 8 \ PDIP 8 \ SOIC
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Product 状态 BVdsx min (V) RDS(欧姆) vg(关上)马克斯(V) vg()分钟(V)
DN1509 在生产中 90 3 \说- 89 5 \ SOT-23 6 -3.5 -1.8
DN2450 在生产中 500 3 \ DPAK 3 \说- 89 10 -3.5 -1.5
DN2470 在生产中 700 3 \ DPAK 42 -3.5 -1.5
DN2530 在生产中 300 3 \说- 89 3\TO-92 12 -3.5 -1.0
DN2535 在生产中 350 3\TO-220 3\TO-92 25 -3.5 -1.5
DN2540 在生产中 400 3 \说- 89 3\TO-220 3\TO-92 25 -3.5 -1.5
DN2625 在生产中 250 3 \ DPAK 8 \ VDFN 3.5 -2.1 -1.5
DN3135 在生产中 350 3 \ SOT-23 3 \说- 89 35 -3.5 -1.5
DN3145 在生产中 450 3 \说- 89 60 -3.5 -1.5
DN3525 在生产中 250 3 \说- 89 6 -3.5 -1.5
DN3535 在生产中 350 3 \说- 89 10 -3.5 -1.5
DN3545 在生产中 450 3 \说- 89 3\TO-92 20 -3.5 -1.5
DN3765 在生产中 650 3 \ DPAK 8 -3.5 -1.5
LND01 在生产中 9 5 \ SOT-23 1.4 -3.0 -0.8
LND150 在生产中 500 3 \ SOT-23 3 \说- 89 3\TO-92 1000 -3.0 -1.0
LND250 在生产中 500 3 \ SOT-23 1000 -3.0 -1.0
查看所有参数化
Product 状态 Rds (on)最大(欧姆) vg (th)马克斯(V) 独联体typ (pF) 内衣min (V)
TD9944 在生产中 6.0 2.0 65 240 8 \ SOIC
查看所有参数化
Product MOSFET驱动类型 驱动程序类型 输出峰值电流(源/汇,A) 电容性负载驱动 输出电阻(源/sink, O)
MIC4606 同步 全桥驱动 1.0/1.0 1000pf在35 ns 10/6 16 \ TSSOP 16 \ VQFN
查看所有参数化
Product 状态 Product类型 连续漏极电流[I(D)] (max) (A) 包类型
fredfet - 1000 v 在生产中 硅MOSFET离散 4 - 42 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
fredfet - 100 v 在生产中 硅MOSFET离散 75 - 225 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
fredfet - 1200 v 在生产中 硅MOSFET离散 4 - 30 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
fredfet - 200 v 在生产中 硅MOSFET离散 56 - 176 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
fredfet - 300 v 在生产中 硅MOSFET离散 44 - 130 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
fredfet - 400 v 在生产中 硅MOSFET离散 23 - 28 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
fredfet - 500 v 在生产中 硅MOSFET离散 22 - 103 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
fredfet - 600 v 在生产中 硅MOSFET离散 17 - 84 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
fredfet - 800 v 在生产中 硅MOSFET离散 12 - 57 Sot-227, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 1000 v 在生产中 硅MOSFET离散 4 - 45 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 100 v 在生产中 硅MOSFET离散 75 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 1200 v 在生产中 硅MOSFET离散 5 - 35 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 200 v 在生产中 硅MOSFET离散 56 - 176 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 300 v 在生产中 硅MOSFET离散 40 - 130 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 400 v 在生产中 硅MOSFET离散 53 - 93 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 500 v 在生产中 硅MOSFET离散 20 - 103 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 600 v 在生产中 硅MOSFET离散 17 - 106 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet - 800 v 在生产中 硅MOSFET离散 11 - 60 Sot-227, to-220, to-247, to-247 max, to-264, to-268
mosfet -线性- 1000 v 在生产中 硅MOSFET离散 18 说- 227
mosfet -线性- 500 v 在生产中 硅MOSFET离散 43 - 58 - 227, - 247 max - 264
mosfet -线性- 600 v 在生产中 硅MOSFET离散 43 - 49 - 227, - 247 max - 264
superjunction - 800 v 在生产中 硅MOSFET离散 11-34 - 247, - 247 max
superjunction - 600 v 在生产中 硅MOSFET离散 30-106 - 227, - 247, - 264
查看所有参数化
Product 漏源电压(V)[最大] 开态电阻(毫欧姆)[typ] (mΩ) 连续漏极电流[I(D)] (max) (A) 结温(°C)[范围] 包类型
mosfet - sic - 1200 v 1200 17.6 - 80 25 - 90 -55 - 175°C Sot-227, to-247, to-247 - 4l, to-268
mosfet - sic - 1700 v 1700 35 - 750 4 - 48 -55 - 175°C Sot-227, to-247, to-247 - 4l, to-268
mosfet - sic - 700 v 700 15 - 90 18 - 99 -55 - 175°C - 247, - 247 - 4 - l - 268

Design Resources


MPLAB® Analog Designer

MPLAB模拟设计器为一般电路需求提供设计建议, 评估通用修改和输出到MPLAB的性能® Mindi™模拟模拟器验证.

MPLAB® Mindi™ Analog Simulator

MPLAB Mindi模拟模拟器使用SIMetrix/SIMPLIS环境来模拟电路行为, 通过软件调试来减少初始设计验证的设计时间.

Power Check Design Service

这项服务为您提供精确的物理电路布局建议, 分享来自有经验的电源设计师的最佳实践,以便物理硬件能够匹配仿真.