碳化硅(SiC)半导体和电源模块
碳化硅(SiC)半导体具有创新性, 提高系统效率的新选项, 支持更高的工作温度，降低电力电子设计的成本. 可广泛应用于高压范围, 高功率工业应用, 汽车, 医疗, 航空航天, 国防, 和通信细分市场. 我们的下一代SiC mosfet和SiC肖特基势垒二极管(SBDs)具有高重复无箝位感应开关(UIS)能力，出色的栅氧化物屏蔽和通道完整性，可实现稳健的运行. 我们的SiC MOSFET和SiC SBD模具可用于各种拓扑结构的电源模块.
SiC Devices and Power Modules Offer:
- 提高系统效率，降低开关损耗
- 为类似的功率拓扑提供更高的功率密度
- 更高的操作温度
- 减少冷却需求，更小的过滤器和被动式
- 更高的开关频率
- 在额定电压下，中子磁化率的失效时间(FIT)率比同等绝缘栅双极晶体管(igbt)低10倍
- Extremely low parasitic (stray) inductance at < 2.SiC模块有9个nH
How Can Silicon Carbide Devices Solve Your Design Challenges?
- 广泛的700V, 1200V和1700V SiCProducts，支持各种市场和应用
- 更高的碳化硅功率密度. 硅使磁性变得更小, 变形金刚, 过滤器和被动者, 导致一个紧凑的形式因素
- SiCProducts可以与其他微芯片设备相结合, 包括8 -, 16位和32位微控制器, 电源管理设备, 模拟传感器, 触摸和手势控制器和无线连接解决方案, 创建一个整体系统，降低整体系统成本
Mersen Power Stack Reference Design
利用我们的1200V MSCSM120AM042CD3AG SiC MOSFET和AgileSwitch®2ASC-12A1HP数字门驱动器, 这种高性能的堆栈参考设计允许您使用预先为其应用程序设计的套件快速开发高压系统, 将上市时间缩短至6个月. 这个参考设计提供16千瓦每升(kW/l)的功率密度, Tj高达130°C，峰值效率达98%，开关频率高达20千赫兹(kHz).
Vienna 3-Phase Power Factor Correction (PFC) Reference Design
MSCSICPFC/REF5是一款维也纳三相PFC参考设计，适用于混合动力电动汽车/电动汽车(HEV/EV)充电器和大功率开关模式电源应用. 本参考设计达到98.30kw输出功率时效率为6%.
我们也有PLECS模型可用. 在硬件设计之前，您可以使用分段线性电路仿真(PLECS)工具来模拟复杂的维也纳PFC电路的动态行为，该电路使用理想开关和可选的dsPIC33CH处理器在环(PIL). 点击“探索Products”链接，进入参考设计页面, 在那里，您可以填写表格注册，下载PFC设计文件或PLECS模拟模型的维也纳3阶段参考设计.
特色Products和工具
Fully Configurable 1200V Digital Gate Driver
随着需求的增加，电动汽车提供了更低的足迹, SiC电源管理解决方案承诺在其系统内实现更高的效率.
我们AgileSwitch® 2ASC-12A2HP 1200V双通道数字门驱动器，其增强开关™ 技术上，Products质量合格，配置齐全. 2ASC-12A2HP栅极驱动器提供了多级控制，以确保为基于SiC mosfet的电力系统提供更高级别的保护.
Intelligent Configuration Tool (The ICT)
我们的应用程序允许您配置门驱动程序参数，包括门开关概要文件, 系统关键监控和控制器界面设置. 其结果是一个不需要改变硬件就可以为您的应用程序量身定制的门驱动程序, 帮助加快从评估到生产的开发时间，并允许您在设计过程中更改控制参数. ICT, 哪些是免费下载的, 在新设计上是否可以节省大约3到6个月的开发时间.
我们的门驱动程序与最新发布的ICT兼容.
1700 V MOSFET
通过超出典型数据表参数的可靠性测试，我们的1.7kv mosfet允许您实现您想要的尺寸和开关效率，而无需过度设计您的系统. 我们提供一系列碳化硅解决方案, 包括我们的1700V SiCProducts, 在die中是可用的, 离散, 电源模块和栅极驱动器配置.
我们的1700V SiCProducts适用于高压应用，如火车和重型运输车辆中的牵引逆变器和电源, 汽车充电, 工业焊接, 可再生能源(太阳能)和航空动力系统.
