我们检测到您正在使用不支持的浏览器. 为了获得最好的体验,请使用Chrome, Firefox, Safari或Edge访问该网站. X

三十多年来, 我们一直在提供前沿技术, 高度集成的空间航空航天和国防解决方案, 航空, 军用和其他恶劣环境应用. 作为存储器Product的领先供应商, 我们提供一系列设备,这些设备经过多年的研究和测试而开发出来,以便它们能够承受航空航天和国防应用中的恶劣环境. 其中一些设备已经生产了超过25年, 他们支持的是我们的客户驱动的过时的做法,即继续提供尽可能长时间的Product.

为你的设计找到正确的解决方案


Rad-Hard Memories

我们的太空飞行传统 基于静态存储器存储器, 我们支持航天工业对坚固设备的要求,这些设备能够承受辐射效应. 这些Product还具有优化的功耗和可在小足迹的包.

  • AT60142 4mb 静态存储器
  • AT68166 16mb 静态存储器
  • AT69170 4mb串行EEPROM

Rad-Tolerant Memories

我们的耐辐射组合是基于我们广泛部署的商业 和Automotive Memories. 特色行业证明了技术, 这些耐辐射设备经得起辐射影响,并确保闩锁免疫和生存在关键环境.

  • SST38LF6401RT 64mb并行闪存
  • AT17LV010 1mb串行EEPROM
  • AT28C010 1mb并行EEPROM

Military Grade Memories

我们提供传统并行EEPROM系列的设备,全MIL-883测试5V军用级(−55°C至125°C)的密封陶瓷封装选项. 这些设备具有双重标记,并符合标准军用图纸编号(SMD#)

  • AT28C010 1mb并行EEPROM
  • AT28C256 256kb并行EEPROM

可扩展的解决方案,适用于不同辐射要求的任务


利用第一个Arm®核心微控制器的优势,将商用现货(COTS)技术的低成本和大生态系统优势与提供可伸缩级别辐射性能的空间合格版本结合起来. 这些解决方案将允许您在使用空间级组件实现您的设计之前,在一个较便宜的COTS设备上建立原型, 减少开发时间和成本

额外的内存解决方案


Automotive Memories

探索我们系列eeprom的广泛组合, 串行存储器, 串行和并行Flash和我们的创新系列EERAMs用于汽车应用. 经过多年的研究和强有力的测试, 这些设备提供行业领先的可靠性和耐久性,在恶劣的汽车环境下运行.

  • AEC-Q100用于选择密度
  • 0级(150°C)
  • 1级(125°C)
  • 三年级(85°C)

Industrial-Grade Memory Solutions

我们提供广泛的系列EEPROM组合, 串行EERAM, 平行eepm, 一次性可编程(OTP) EPROM, 串行闪存, 平行的闪光, 系列静态存储器和NV静态存储器Product可在宽温度范围的塑料包装,以满足您的商用现货(COTS)内存需求.

记忆的开发工具


这些评估板可用来支持您使用我们的存储Product开发航空航天和国防应用:

Serial SuperFlash® Kit 2

Part Number: AC243008

该系列SuperFlash套件2包含三个系列Flash子板,设计用于与Explorer 16/32开发板上的mikroBUS™连接器接口.

SQI SuperFlash Kit 1

Part Number: AC243009

SQI SuperFlash Kit 1包含三个系列Flash子板,用于与Explorer 16/32开发板上的mikroBUS连接器接口.

Parallel SuperFlash Kit 1

Part Number: AC243006-1

这个评估包包含两个并行的Flash PICtail™Plus子板,旨在与Explorer 16开发板上的PICtail Plus连接器进行接口.

帮助你开始记忆的资源


内存LinkProduct选择工具

内存LinkProduct选择工具是一个伟大的发现工具,它提供了我们所有内存Product和支持开发板的全面概述. 这个交互式工具包含可选择的链接,允许您快速导航到特定于Product的信息.

Product


查看所有参数化
Product 内存类型 内存大小 组织的记忆 访问时间/频率 工作电压
AT60142H 静态存储器 4兆比特 512k x 8 15 ns 3.3V 36 \ CDFP
AT60142HT 静态存储器 4兆比特 512k x 8 17 ns 3.3V 36 \ CDFP
AT65609EHV 静态存储器 1 mbit 128k x 8 40 ns 5V
AT65609EHW 静态存储器 64年来 8k x 8 40 ns 5V
AT68166H 静态存储器 16 mbit 512k x 32 18 ns 3.3V
AT68166HT 静态存储器 16 mbit 512k x 32 20 ns 3.3V
AT69170F eepm(串行) 4兆比特 4M x1 400千赫(双胞胎) 3.3V
M65609E 静态存储器 1 mbit 128k x 8 40 ns 3.3V
查看所有参数化
Product 内存类型 内存大小 组织的记忆 工作电压 TID -总电离剂量 单事件锁存
SST38LF6401RT Flash(并行) 64 mbit 4M x 16 3.3V 50克拉 >78 Mev
AT17LV010-10DP eepm(串行) 1 mbit 1M x1 3.3V 20克拉/ 60克拉(无偏见) >80 MeV.厘米2 /毫克
AT28C010-12DK eepm(并行) 1 mbit 128 k x8 5V 10克拉/ 30克拉(无偏见) >80 MeV.厘米2 /毫克
查看所有参数化
Product 密度(组织) 组织 工作电压范围(Vcc) 温度范围 文档
AT28BV256 256Kb 32K x 8 2.7 to 2.7 -40°C + 85°C 28 \ SOIC 28 \ TSOP 32 \ PLCC http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28BV256/documents/
AT28BV64B 64Kb 8K x 8 2.7 to 2.7 -40°C + 85°C 28 \ SOIC 28 \ TSOP 32 \ PLCC http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28BV64B/documents/
AT28C010 1Mb 128K x 8 4.5 to 4.5 -40°C + 85°C 30 \ CPGA 32 \ CDFP 32 \陶瓷浸渍 32 \闭环化油器控制 32 \ FLATPACK 32 \ PLCC 32 \ TSOP http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28C010/documents/
AT28C256 256Kb 32K x 8 4.5 to 4.5 -40°C + 85°C 28 \陶瓷浸渍 28 \ CPGA 28 \ FLATPACK 28 \ PDIP 28 \ SOIC 28 \ TSOP 32 \闭环化油器控制 32 \ PLCC http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28C256/documents/
AT28C64B 64Kb 8K x 8 4.5 to 4.5 -40°C + 85°C 28 \ PDIP 28 \ SOIC 28 \ TSOP 32 \ PLCC http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28C64B/documents/
AT28HC256 256Kb 32K x 8 4.5 to 4.5 -40°C + 85°C 28 \陶瓷浸渍 28 \ CPGA 28 \ FLATPACK 28 \ SOIC 28 \ TSOP 32 \闭环化油器控制 32 \ PLCC http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28HC256/documents/
AT28HC64B 64Kb 8K x 8 4.5 to 4.5 -40°C + 85°C 28 \ SOIC 28 \ TSOP 32 \ PLCC http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28HC64B/documents/
AT28HC64BF 64Kb 8K x 8 4.5 to 4.5 -40°C + 85°C 28 \ SOIC 32 \ PLCC http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28HC64BF/documents/
AT28LV010 1Mb 128K x 8 3 to 3 -40°C + 85°C 32 \ PLCC 32 \ TSOP http://www.微芯片.com/wwwproducts/AT28LV010/documents/